基于硒原子取代和端基变化调控单晶堆积并实现高性能 n 型分子半导体

发布者:Zane发布时间:2024-02-23浏览次数:10

日前,实验室刘云圻-王洋团队Chemical Engineering Journal期刊发表题为《Manipulating single-crystal packing motifs via selenium substitution and end-group variation for high-performance n-type molecular semiconductors》的研究文章,实验室博士后陈于中、博士生吴锃和硕士生陈泽坤为论文共同第一作者,王洋青年研究员为通讯作者。

文章链接:https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.149536