通过诱导P(NDI2OD-T2)薄膜形成D-A堆积结构提高OFETs的高温电学性能稳定性

发布者:管理员发布时间:2024-11-11浏览次数:10

日前,实验室赵岩团队Science China Materials期刊发表题Enhancing the high-temperature stability of OFETs by inducing D-A stacking in P(NDI2OD-T2) films》的研究文章,实验室硕士生肖雪涛为论文第一作者。

章链接:https://doi.org/10.1007/s40843-024-3147-8