陷阱在无序有机半导体的电荷传输中起着至关重要的作用，并且可以显着影响有机功能器件的电性能。课题组以铁电聚合物作为介电界面层的有机场效应晶体管中电荷陷阱的约束效应已通过利用热稳定聚合物作为半导体，在 30 摄氏度至超过铁电聚合物居里点的温度范围内进行了研究。研究观察到电荷陷阱被限制在具有铁电界面层的浅能级内。在跨越居里点的温度下，陷阱填充过程中所涉及的陷阱密度的变化表明，浅陷阱的减少几乎与深陷阱的增加成正比，表明半导体通道中浅陷阱和深陷阱之间的过渡。这些发现表明通过铁电界面层调节陷阱可以提高未来有机功能器件的稳定性和性能。
上述成果于近日，以“Constrain Effect of Charge Traps in Organic Field-Effect Transistors with Ferroelectric Polymer as a Dielectric Interfacial Layer”为题在线发表于《ACS Applied Materials Interface》上。课题组博士后吴阳江博士为本文第一作者，通讯作者为赵岩青年研究员。
